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  11月10日(木)名古屋大学 IB電子情報館大講義室社にて「第12 回窒化物半導体応用研究会」が開催されます。

 この研究会を主宰する東海広域ナノテクものづくりクラスターは福岡先端システムLSI開発クラスターとも関係が深く、 今回の研修会ではお互いの最新成果報告を行うとともに、国内の研究者から窒化物半導体の応用に関する最新情報をお届けします。
  窒化物半導体についてもっと知りたい、窒化物半導体を利用した製品を開発したい、窒化物半導体の応用に積極的に関わりたい、という企業や大学の研究者の皆さま方、この機会にぜひご参加ください。

 何卒よろしくお願いいたします。

タイトル

第12 回窒化物半導体応用研究会
~知的クラスター成果報告、福岡クラスター活動紹介、および窒化物半導体応用について~

日 時

平成23年11月10日(木) 
 13:30~17:00 (開場 12:45)

場 所

名古屋大学 IB電子情報館大講義室
 (名古屋市千種区不老町)
アクセス:http://www.nagoya-u.ac.jp/global-info/access-map/access/

主 催
(公財)科学技術交流財団
共 催
(財)福岡県産業・科学技術振興財団
定 員
200名様(定員になり次第締め切らせていただきます)
参加費
無料 (懇親会に参加される場合、会費3,000円が必要となります)

申込
お問合わせ

詳細をご確認のうえ、Eメールにてお申し込みください。
 ・Eメール:cluster2008@astf.or.jp
 ・東海広域ナノテクものづくりクラスター

詳細はこちら(PDF)から
 ・第12 回窒化物半導体応用研究会のご案内 (PDF 455kb)


 

Tentative program

第12 回窒化物半導体応用研究会

2011/11/10(木)
13:30-13:35
開会挨拶
  東海広域知的クラスター創成事業本部 事業総括 大塚 美則
◆ 講 演 ◆ 
○第一部 知的クラスター事業成果の紹介
13:35-14:00
「次世代自動車用高出力パワーデバイス、高周波デバイスの開発」
 名古屋工業大学 教授 江川 孝志
14:00-14:25
「低消費電力高輝度高演色性LED、環境対応モニタリング用センサーの開発」
 名古屋大学 教授 天野 浩氏
14:25-14:50
「窒化物半導体デバイスプロセス、インテリジェントデバイスの開発と試作体制の整備」
 豊橋技術科学大学 教授 若原 昭浩氏
○第2部 福岡クラスター事業の紹介
14:50-15:10
「福岡先端システムLSI 開発クラスターの取組」
 (財)福岡県産業・科学技術振興財団 イノベーションクラスター戦略本部
 副事業総括 力武 知嗣氏
15:10-15:30
「三次元半導体研究センターの取組」
 (財)福岡県産業・科学技術振興財団 三次元半導体研究センター
 主幹研究員 野北 寛太氏
15:30-15:50
休憩
○第3部 GaN 電子デバイスの可能性について
15:50-16:20

「ノーマリーオフ型GaNHFETの高性能化」
 NTTフォトニクス研究所 前田 就彦氏

16:20-16:50
「Si 基板上ノーマリオフAlGaN/GaN ハイブリッドMOS-HFET の高耐圧化」
 次世代パワーデバイス技術研究組合 池田 成明氏
○まとめ 16:50-17:00
17:15~18:30
懇親会 
(有料・会費制 3,000円)

※プログラムは変更される場合があります。